Samsung’un High-NA EUV litografi makinesi planları, yarı iletken üretiminde devrim yaratmayı hedefliyor. Bu teknoloji ile daha yüksek çözünürlük ve verimlilik sağlanarak, geleceğin çip üretiminde önemli avantajlar sunulması bekleniyor.
Cenup Koreli Samsung, ASML tarafınca üretilen en gelişmiş High-NA EUV litografi makinesini, 2023 yılının son çeyreği ile 2025’in ilk çeyreği içinde oluşturmayı hedefliyor. Bu yeni teknoloji, Samsung’un araştırma ve geliştirme faaliyetlerinde mühim bir rol oynayacak.
Şirket, High-NA ekosistemini güçlendirmek amacıyla Lasartec, JSR, Tokyo Electron ve Synopsys şeklinde mühim iş ortaklarıyla iş birliği yapıyor. İlk ASML Twinscan EXE:5000 High-NA litografi sisteminin, Samsung’un mantık ve DRAM üretimi için geliştireceği yeni nesil üretim teknolojilerinin merkezi olacak Hwaseong kampüsü‘ne kurulması planlanıyor. Bu ünitenin 2025 yılı ortalarında faaliyete geçmesi öngörülüyor.
Samsung’un High-NA EUV teknolojisini benimsemesi, rakipleri Intel, TSMC ve SK hynix ile olan rekabetinde belirleyici bir avantaj sağlayacak. Sadece, firmanın seri üretim için High-NA EUV’yi ne süre devreye alacağı hemen hemen kesinlik kazanmış değil.
Samsung, High-NA EUV teknolojisi çevresinde kapsamlı bir ekosistem oluşturma amacı güdüyor. Bu bağlamda, bilhassa High-NA fotomaskeler için denetim ekipmanı geliştirmek amacıyla Japon Lasartec ile iş birliği yapıyor. Samsung’un, Lasartec’in High-NA EUV maske denetim aracı olan Actis A300‘ü satın almış olduğu bildiriliyor.
Ek olarak, Samsung, 2027 yılına kadar High-NA EUV araçlarının ticari uygulamalarına hazırlık yapmak için fotorezist üreticisi JSR ve aşındırma makineleri üreticisi Tokyo Electron ile de iş birliği yürütüyor.
ASML’nin High-NA EUV Twinscan EXE aracı, mevcut Low-NA EUV sistemlerinden mühim seviyede daha yüksek bir performans sunuyor. Bu yeni sistem, tek bir pozlamayla maksimum 13 nm çözünürlüğe ulaşabilen Low-NA sistemlerden, 8 nm çözünürlüğe ulaşabiliyor. Bu gelişme, transistörlerin ortalama 1,7 kat daha küçülmesini ve transistör yoğunluğunun neredeyse üç katına çıkmasını sağlıyor.
Low-NA sistemleri benzer çözünürlük ve yoğunluk seviyelerine ulaşabilse de, çoğu zaman maliyetli ve karmaşık çift desenleme süreçlerini gerektiriyor. High-NA EUV teknolojisine geçiş, bu çift desenleme ihtiyacını ortadan kaldırarak üretimi basitleştirme, verimliliği artırma ve maliyetleri düşürme potansiyeli taşıyor. Bu 8 nm tehlikeli sonuç boyutlara ulaşmak, 3 nm altı üretim teknolojilerine haiz yongaların üretilmesi açısından büyük bir ehemmiyet arz ediyor.
Sadece, 2 nm sınıfı düğümlerde neredeyse tüm yonga üreticilerinin çift desenleme kullanacağı öngörülüyor. Öte taraftan, Intel de 20A düğümü için desen şekillendirme araçlarını benimsemeyi planlıyor ve High-NA EUV’yi ilk olarak 14A sürecinde kullanmayı hedefliyor.
